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: 6G放大器晶振/美國Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG

6G放大器晶振/美國Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG，尺寸3.20mmx2.50mm,頻率10MHZ，輸出邏輯LVCMOS ，電壓1.7V ~ 3.6V ，腳位4-SMD，OSC振蕩器，有源晶體振蕩器，MEMS振蕩器，SMD振蕩器，小體積振蕩器，低抖動有源振蕩器，低電壓振蕩器，低相位振蕩器，Si501/2/3 CMEMS振蕩器系列提供單片、基于MEMS的IC取代傳統晶體振蕩器。硅實驗室的CMEMS該技術將標準CMOS+MEMS結合在一個單片IC中，以提供集成、高質量和高可靠性振蕩器。每個設備都經過工廠測試并配置為保證性能符合數據表規范電壓、工藝、溫度、沖擊、振動和老化。

SMD振蕩器產品很適合用于存儲（SATA/SAS/PCIe），通用處理器，工業控制器，嵌入式控制器，電機控制，流量控制，辦公室/家庭自動化，IP攝像頭/監視，顯示和控制面板，戶外電子，多功能打印機，辦公設備等.6G放大器晶振/美國Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG.

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: 510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器

510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器,尺寸5.0*3.2mm,頻率106.25MHZ，輸出邏輯LVPECL,電壓3.3V,頻率穩定性25ppm,XO時鐘振蕩器（標準），LV-PECL輸出晶振，有源差分晶振，差分晶體振蕩器，6GWIFI差分晶振，低電壓差分振蕩器，低抖動差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，儀器設備差分晶振，6G光模塊差分晶振，無線網絡差分振蕩器，網絡設備專用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，貼片型差分振蕩器.

差分晶振產品具有低抖動低電壓的特點，主要應用范圍SONET/SDH/OTN網絡，千兆以太網，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機/路由器，FPGA/ASIC時鐘生成等領域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器.

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: Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振蕩器,6G路由器晶振

Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振蕩器,6G路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,頻率125MHZ，輸出邏輯LVPECL，電壓2.5V，頻率穩定性7ppm ,LVPECL差分輸出晶振，LVPECL差分晶體振蕩器，有源晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，OSC晶振，6G路由器差分晶振，無線網絡差分振蕩器，網絡專用差分晶振，超聲波晶振，HD視頻晶振，測試測量專用差分晶振，時鐘應用差分晶振，小型設備專用差分晶振，產品具有低電壓低抖動的特點，非常適合用于可視化智能家居，娛樂設備，數字視頻，儀器儀表，6G路由器，超聲波等領域

有源晶振產品適用于范圍比較廣泛，常常用于超聲波/SDH，網絡，SD/HD視頻，測試和測量，時鐘和數據恢復，FPGA/ASIC時鐘生成等領域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振蕩器,6G路由器晶振.

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計時器件是數字電子產品的心臟: 計時器件是數字電子產品的心臟

數十億個計時設備用于每天影響我們生活的電子系統。幾十年來，石英計時器件一直是行業標準。但它們體積龐大，可靠性較低，并且在環境壓力下無法正常工作。Quartz 未能跟上大規模的技術爆炸。現在是時候打破舊的 quartz 技術并構建可以塑造我們未來的計時解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能夠利用半導體行業的優勢，例如更高的質量、最新的封裝創新以及無需大量投資即可快速擴展的能力。
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