Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振
Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定
項目
符號
SQXO-2AT規格說明
條件
輸出頻率范圍
f0
500 kHz to 120 MHz
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電源電壓
VCC
1.60 V to 3.63 V
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儲存溫度
T_stg
-55℃ to +125℃
裸存
工作溫度
T_use
G: -40℃ to +85℃
請聯系我們查看更多資料http://www.xsrsf.cn
H: -40℃ to +105℃
J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度
f_tol
J: ±50 × 10-6
L: ±100 × 10-6
T: ±150 × 10-6
功耗
ICC
3.5 mA Max.
無負載條件、最大工作頻率
待機電流
I_std
3.3μA Max.
ST=GND
占空比
SYM
45 % to 55 %
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓
VOH
VCC-0.4V Min.
VOL
0.4 V Max.
輸出負載條件
L_CMOS
15 pF Max.
輸入電壓
VIH
80% VCC Max.
ST 終端
VIL
20 % VCC Max.
上升/下降時間
tr / tf
4 ns Max.
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間
t_str
3 ms Max.
t=0 at 90 %
頻率老化
f_aging
±3 × 10-6 / year Max.
+25 ℃, 初年度,第一年
項目 |
符號 |
SQXO-2規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10 kHz to 2 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
項目 |
符號 |
SQXO2ATHG規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
32.768 kHz to 50 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
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|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |


DIP 產品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力,以免引腳變形。
(5)SOJ 產品和SOP 產品
請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形。已變形的石英晶振引腳焊接時會造成浮起。尤其是SOP產品需要更加小心處理。
9.4.超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和聲表面濾波器(SAW)/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式晶振產品
(4)對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
10.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面,Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振

Statek晶振環保理念
STATEK晶振公司的目標是保證石英晶振,貼片晶振,晶體振蕩器,有源晶振產品繼續滿足客戶要求的同時對環境的影響降到最小,在生產過程中不斷節約能源和資源,努力實現環境管理體系與環境行為持續改進.
STATEK晶振承諾保護環境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環保方式,并考慮到生態系統的復雜性和相關性.
建立目標指標、監測程序,利用最好的管理手段,應用節約成本的技術,持續改進我們的環境表現.我們承諾采取積極的、預防性的戰略管理來對自然環境和地方社區的影響最小化.
STATEK晶振環保環境與發展對策:實行可持續發展戰略.采取有效措施,防治工業污染.提高能源利用效率,改善能源結構.運用經濟手段保護環境.大力推進科技進步,加強環境科學研究,積極發展環境保護產業.健全環境法規,強化環境管理.加強環境教育,不斷提高環境意識

聯系人:李玉龍
電話:86-0755-27839151
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晶振廠家
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