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微晶晶振,有源晶振,RV-3049-C3晶振,音叉晶振

頻率:32.768KHZ 尺寸:3.7*2.5*0.9mm

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來(lái)高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27839151

音叉型32.768K晶體,有源3725振蕩器,RV-3049-C3晶振

微晶晶振,有源晶振,RV-3049-C3晶振,音叉晶振,微晶在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問題上），這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問題上），這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。
貼片石英晶體振蕩器，又簡(jiǎn)稱為排帶包裝，這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝，使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接，大大節(jié)約人工，提高工作效率。32.768K千赫子時(shí)鐘晶體，其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品，或者是控制模塊，主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。音叉型32.768K晶體,有源3725振蕩器,RV-3049-C3晶振

音叉型32.768K晶體,有源3725振蕩器,RV-3049-C3晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f0	32.768KHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.3 V to 5.5 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.xsrsf.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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這些晶振知識(shí)介紹是指，石英晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒反應(yīng)的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作，請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問題。請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明。我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開始尋找相關(guān)問題。微晶晶振,有源晶振,RV-3049-C3晶振,音叉晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查音叉振蕩器終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒有信號(hào)輸出，請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒有信號(hào)，請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試進(jìn)口有源晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì)，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下：音叉型32.768K晶體,有源3725振蕩器,RV-3049-C3晶振

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微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)口RTC時(shí)鐘晶片環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。過去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。微晶晶振集團(tuán)將：不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防。為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架。通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持。微晶晶振,有源晶振,RV-3049-C3晶振,音叉晶振
微晶晶振集團(tuán)將確保其小體積OSC晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng)。在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。
微晶集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少高性能石英振蕩器廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護(hù)公眾健康的同時(shí)，努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng)，提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。微晶晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系。音叉型32.768K晶體,有源3725振蕩器,RV-3049-C3晶振

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