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日蝕晶振,貼片晶振,EH2600ETTS-33M晶振

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機高速安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27839151

產品相關資料

日蝕晶振,貼片晶振,EH2600ETTS-33M晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

牽引范圍（VCXO）：是針對VCXO壓控晶振的參數。

帶有壓控功能的晶振為（VCXO），即32.768KHZ晶振通過調節控制電壓改變輸出頻率。牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此值一般用ppm表示。通常牽引范圍大約為100 - 200ppm，取決于VCXO壓控晶振的結構和所選擇的晶體。

日蝕晶振規格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	33MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.xsrsf.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

EH2600ETTS-33.000M 7050 XO

如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該貼片晶振應正常后，諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率，我們可以通過以下三種方法改進：

方法1：降低產品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的石英晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價的設計。

我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節省成本，保證安全。請用頻率計數器來測量所述晶體，以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規格，請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率，反之亦然高得多系統不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。

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日蝕晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的SMD晶振遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的特有的環境標準.

集團將在各領域內的商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、7050mm貼片晶振的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.

根據需要,提高環境技術、材料和晶振晶體,石英晶體振蕩器產品的發展信息及環境管理活動的公開性.日蝕晶振公司將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放.我們將在關注于預防環境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.

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