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IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振

頻率：15.476MHz to 866.67MHz ，975MHz to 1,300MHz 尺寸：7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點

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產品相關資料

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IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振，壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內 2GGCS IDT-2

型號		8N4SV75(LVDS)
輸出頻率范圍		15.476MHz to 866.67MHz ， 975MHz to 1,300MHz
電源電壓范圍		2.5 to 3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-請聯系我們查看更多資料http://www.xsrsf.cn
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

8N4SV75 7050 VCXO LVDS 4ZYSX IDT-4

使用環境（溫度和濕度）

請在規定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。

晶振/石英晶體諧振器

激勵功率

在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率。

負極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容。 5HBFZ

IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.

集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的特有的環境標準.

IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.IDT晶振VCXO晶振,8N4SV75晶振 6LXFS IDT-6

聯系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

手機：13828756848

QQ:987260611

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IDT晶振 VCXO晶振 8N4SV75晶振

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